Primary links
 

Intel и Micron представляют первый в мире 20-нанометровый и 128-гигабитный NAND-модуль

 «С уменьшением портативных устройств и возрастанием потребностей центров обработки данных наши клиенты рассчитывают получить от Micron новые системные решения, — сказал Глен Хавк (Glen Hawk), вице-президент Micron NAND Solutions Group. — Вместе с Intel мы продолжаем выпускать лучшие на рынке решения для хранения данных на основе флэш-памяти».

 
 
 

САНТА-КЛАРА (Калифорния), БОЙСЕ (Айдахо), 6 декабря 2011 г. – Intel и Micron Technology объявили о создании первой в мире 20-нанометровой (нм) NAND-памяти с многоуровневой структурой ячеек (multi level cell, MLC) емкостью 128 гигабит (Гбит). Кроме того, стороны объявили о начале массового производства 20-нм NAND-памяти емкостью 64 Гбит.

 

Разработанный совместным предприятием Intel и Micron (IM Flash Technologies, IMFT), — это первый в индустрии монолитный модуль. Он позволяет создать чип размером с ноготь емкостью 1 Тбит, используя всего 8 кристаллов. Он удваивает емкость и производительность 20-нм модуля емкостью 64 Гбит. Новый модуль удовлетворяет спецификации ONFI 3.0, способен достигать скорости 333 МТ/с и помогает создавать более эффективные и дешевые твердотельные накопители для смартфонов, планшетов и промышленных систем хранения данных.

 «Мы рады новым успехам совместного предприятия Intel и Micron — способности компании приступить к выпуску новых, более емких и дешевых 20-нм NAND-модулей, — добавил Роб Крук (Rob Crooke), вице-президент Intel и генеральный директор Intel Non-Volatile Memory Solutions Group. — Используя планарную структуру и технологию Hi-K/Metal Gate Stack, компания IMFT продолжает развивать флэш-память самыми высокими темпами, помогая выпускать новые продукты, сервисы и форм-факторы».

 
 
 

Стороны утверждают, что ключом к успеху в области 20-нм техпроцесса стала инновационная структура ячеек. В 20-нм NAND-памяти впервые используется планарная структура, которая позволяет преодолеть проблемы, сопутствующие более сложным технологиям производства, и обеспечить производительность и надежность, присущие предыдущему поколению продуктов. Планарная структура успешно решает сложности масштабирования стандартной ячейки NAND с плавающим затвором путем интеграции технологии Hi-K/Metal Gate Stack.

 

Спрос на NAND-модули высокой емкости обусловлен тремя связанными между собой тенденциями: ростом цифровой вселенной, миграцией в «облако» и распространением портативных устройств. С ростом объемов цифрового контента пользователи рассчитывают, что их данные будут доступны на любых устройствах, синхронизируясь в «облаке». Для предоставления качественных сервисов центрам обработки данных необходимы системы хранения данных более высокой емкости и быстродействия. Именно такие и позволяет создавать NAND-память. В потребительском сегменте одним из примеров является воспроизведение HD-видео, требующее наличие большого свободного пространства. Новые разработки открывают дополнительные перспективы для создания высокопроизводительной, компактной памяти для мобильных потребительских устройств и «облачных» серверов.
Intel и Micron отмечают, что объемы производства 20-нм NAND-модулей емкостью 64 Гбит, которые компании достигнут в декабре, позволят выполнить быстрый переход к 128-Гбит модулям в 2012 г. К поставкам тестовых образцов модулей емкостью 128 Гбит планируется приступить в январе, а в первой половине 2012 г. - к серийному производству.

 

О корпорации Intel
Корпорация Intel — ведущий мировой производитель инновационных полупроводниковых компонентов — разрабатывает технологии, продукцию и инициативы, направленные на постоянное повышение качества жизни людей и совершенствование методов их работы. Дополнительную информацию о корпорации Intel можно найти на веб-сайте www.intel.ru/pressroom и на русскоязычном сервере (http://www.intel.ru).
 
Intel и логотип Intel являются товарными знаками корпорации Intel в США и других странах.
Другие торговые марки и товарные знаки являются собственностью их законных владельцев
 
 
О компании Micron
Micron Technology, Inc. – крупнейший поставщик современных полупроводниковых решений. Работая на глобальном рынке, Micron выпускает и продает NAND-, NOR- и DRAM-память, другие полупроводниковые компоненты и модули памяти для использования в современных компьютерах, потребительской электронике, сетевом и встраиваемом оборудовании и мобильных продуктах. Обыкновенные акции Micron котируются на бирже NASDAQ под символом MU. Чтобы узнать больше о Micron Technology, посетите www.micron.com.
Micron и логотип Micron являются товарными знаками Micron Technology, Inc.
Данный пресс-релиз содержит заявления прогностического характера, связанные с производством 20-нм 64-Гбит и 128-Гбит NAND-модулей. Фактические события могут значительно отличаться от тех событий, которые указаны в заявлениях прогностического характера. Пожалуйста, обращайтесь к документам Micron, которые компания время от времени направляет в Комиссию по ценным бумагам и биржам США, в частности, к недавно поданным документам Micron по формам 10-K и 10-Q. Эти документы содержат и определяют важные факторы, которые могут оказать влияние на фактические результаты деятельности Micron, которые могут существенно отличаться от того, что сказано в заявлениях прогностического характера (смотрите Certain Factors). Мы убеждены в том, что наши ожидания, указанные в заявлениях прогностического характера, являются вполне обоснованными, однако мы не можем гарантировать эти результаты, высокий уровень деятельности, производственную эффективность и достижения.